IGBT
所有分類下結果三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現(xiàn)開關速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流開關頻率可達30kHz 模塊內部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現(xiàn)開關速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內部寄生電感低
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產(chǎn) 品 型 號 參 數(shù) 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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西門康IGBT模塊5STP06D2800 5STP45N2800 5STP16F2801 5STP29
[中介]ABB普通晶閘管
-獲準專利的硅滑動式結構
-應用于大功率的工業(yè)生產(chǎn)和電氣傳動領域
-很低的同態(tài)壓降
-選擇合適的Qrr和Vt的器件匹配，可串聯(lián)或并聯(lián)使用
優(yōu)點：
應用于大功率的工業(yè)生產(chǎn)和電氣傳動領域
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西門康IGBT模塊5STP03X6500 5STP50Q1800 5STP27H1800 5STP12
[中介]工作范圍：350~6100A，1600~8500V
可控硅應用領域 ：
無功補償、勵磁、高壓軟起動、整流器、工業(yè)傳動設備、高壓變頻調速直流輸電、
充磁機、可控硅整流電源、感應加熱（電爐）、高電壓化學、斬波器
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